შეფუთვა: Მუყაოს ყუთი
პროდუქტიულობა: 1000000000 pcs/week
ტრანსპორტირება: Ocean,Land,Air
წარმოშობის ადგილი: ჩინეთი
მიწოდება უნარი: 7000000000 pcs/week
სერტიფიკატი: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS კოდექსი: 8541401000
პორტი: SHENZHEN
გადახდის ტიპი: T/T,Paypal
ინკოტერმი: FOB,EXW,FCA
მოდელი ნომერი.: 3106PT850D-A3
ბრენდი: საუკეთესო LED
მომარაგების ტიპი: ორიგინალი მწარმოებელი
საცნობარო მასალები: მონაცემთა ფურცელი
სახეობები: LED
პაკეტის ტიპი: ხვრელის საშუალებით
Certification: Other
Usage: Other
Application: Electronic Products
Luminous Intensity: High Directivity
Color: Other
Formation: Gold Thread
Type: Infrared Led
Inner Packing: Anti-Static Bag
Polarity: Short Pin Mark Cathode
Range Of Spectral Bandwidth: 700-1100nm
Type Of Lens: Black Lens
Collector-Emitter Voltage: 30v
Emitter-Collector Voltage: 5v
Wavelenghth Of Peak Sensitivity: 850nm
Package Quantity: 1000pcs/Bag
Half Sensitivity Angle: 60degree
1000PCS Weight: 200g
| გაყიდვის ობიექტები: | Piece/Pieces |
|---|---|
| პაკეტის ტიპი: | Მუყაოს ყუთი |
რა განსხვავებაა ფოტოდიოდებსა და ფოტოტრანზისტორებს შორის?
1. ფოტოტრანზისტორი შეიძლება ჩაითვალოს ფოტოდიოდისა და ტრანზისტორის ინტეგრირებულ სტრუქტურად. მისი მახასიათებლებია ფოტოდიოდის გამომავალი მახასიათებლები და ტრანზისტორის მახასიათებლები.
2. ფოტოდიოდები შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ძაბვის ან დენის წყაროდ (ანუ ფოტოელექტრული უჯრედები) დამატებითი ელექტრომომარაგების გარეშე.
3. ფოტოტრანზისტორი უნდა მუშაობდეს გარე ელექტრომომარაგებით, რათა გამოსცეს ფოტოდიოდზე ბევრად დიდი დენი, რადგან ის გაძლიერებულია ტრანზისტორით.
|
- Size: - Chip Number: 1 chips - Color: 850nm - Type: Black clear - Chip brand: Tyntek |
- 60 degree - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
* ამ შემთხვევაში ასევე შესაძლებელია სხვა LED, როგორიცაა: 5 მმ მწვანე მეშვეობით ხვრელი LED, UV LED, 660nm LED, 940nm LED, 5mm ლურჯი მეშვეობით ხვრელი LED, ყვითელი LED, ქარვა LED ect *
*ფოტოზე ფერები გადაღებულია კამერით, გთხოვთ, სტანდარტულად აიღოთ რეალური გამოსხივების ფერი.
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
100 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
30 |
100 |
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
6 |
|
V |
IECO=10uA |
|
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
0.4 |
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
30 |
|
90 |
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
|
Photocurrent 2 |
IPCE | 90 |
|
270 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
|
Current gain |
hFE |
270 |
|
900 |
uA |
VCE=5V IC=2mA |
|
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP | 850 |
|
nm |
|
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
400 |
|
1100 |
nm |
|
|
Response Time-Rise Time |
tR |
15 |
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
||
|
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
|
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- ოქროს მავთულის კავშირი -
* თითოეული LED-ის ხანგრძლივი სიცოცხლის შესანარჩუნებლად, BestLED ქარხანა იყენებს მაღალი სუფთა ოქროს მავთულს შიდა წრედ შესაერთებლად
* ჩვენ შეგვიძლია შეფუთოთ ეს LED ნებისმიერი რაოდენობის შეფუთვით და დავამაგროთ ან დავაბრუნოთ LED ქინძისთავები თქვენი მოთხოვნის შესაბამისად.
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
შეავსეთ დამატებითი ინფორმაცია, რომ უფრო სწრაფად დაგიკავშირდეთ
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
Contact Now